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周一（4月13日）最新音讯显现，国产芯片又取得了一大打破。中证网征引中企紫光集团旗下的芯片公司长江存储称，该企业128层QLC 3D NAND闪存（类型：X2-6070）正式研制成功，并且现已得到多家控制器厂商SSD等终端存储产品的验证。
报导指出，这不仅是我国首款128层3D NAND闪存芯片，并且也是全球第一款128层QLC标准的3D NAND闪存芯片，这一打破或许意味着我国芯片研制与制造在与全球其他几个国家的竞赛中正完成“弯道超车”。
事实上，早在上一年9月份，长江存储就曾表明，该企业开端对自主研制的Xtacking架构的64层三维闪存（3D NAND）进行量产，此举关于下降我国芯片对外依存度有着重要意义，其时有剖析以为，这一打破有望令我国的芯片自给率从此前的8%上升进步到40%；一起还将“我国芯”与全球顶尖3D NAND企业的技能距离缩短至2年内，是打破美日韩等国独占的要害。
不过，长江存储最新推出128层3D NAND闪存芯片的行为契合外媒此前的预期。早在2019年，外媒曾指出，2020年长江存储很或许直接越过96层而直接进入128层3D NAND，将我国与美日韩等国芯片巨子的技能距离缩小1到2年，然后完成弯道超车。
长江存储商场与出售高档副总裁龚翊对此表明，作为闪存芯片职业的新人，该企业能在短短3年时刻完成了从32层到64层到128层的跨过，离不开该企业数千名职工的尽力和全球产业链上下游的通力协作。
在长江存储推出128层3D NAND闪存芯片之后，美日韩等国对世界芯片商场的独占或许将进一步被打破。据悉，早在上一年初，美国英特尔和美光、韩国三星、SK海力士和日本东芝等全球芯片巨子由于忧虑长江存储在量产后将冲击芯片价格，因而现已在加速出产92层和96层芯片，并将于本年推出128层芯片出产，以保持其竞赛优势。
但是，从现在的状况去看，长江存储也在持续进步本身的竞赛力，跟着长江存储芯片量产，未来我国芯片自给率或将持续进步。或许正因如此，美国近期预备对其芯片出口做出调整的决议才会遭到该国9大安排对立。由于一旦该国削减对华芯片出口，那么很或许会引起美企永久失掉在华的商场占有率。
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