阻容降压电容应用原理//knscha.cn.
国标体型代码
材料
成品外观
电气性能
特点
用途
X2MKP62me
tallized
Polypopylene Film
金属化聚丙烯薄膜
0.01~10μF250/275VAC-40~110℃P:10~42.5mm- 能承受较高的过压冲击;
- 优异的阻燃性能
- 优异的防潮性能
(IEC60384-14Ⅱ) UL,VDE,ENEC,CQC
抑制电源电磁干扰
MPRCBB21me
tallized
Polypopylene Film
金属化聚丙烯薄膜
0.01~10μF100~630VDC-40~105℃P:10~32.5mm- 高频损耗小
- 内部温升小
- 容量、损耗 温度变化小
- 优异的阻燃性能
- 优异的防潮性能
1.广泛用于高频直流、 交流和脉冲电路
2.整流后滤波回路
MPBCBB24me
tallized
Polypopylene Film
金属化聚丙烯薄膜
0.01~3.3μF300VAC440VAC-40~105℃P:10~32.5mm- 损耗小
- 内部温升小
- 高绝缘阻抗
- 负容量、损耗温度系数
- 优异的容量稳定性
- 优异的阻燃性能
- 优异的防潮性能
1.用于电表等降压类产品
2.载波信号传输电路
MERCL21me
tallized
Polyeste Film
金属化聚脂薄膜
0.01~10μF50~630VDC-40~125℃P:7.5~32.5mm1.高阻抗,无感式结构,金 属化薄膜卷绕
2.容量可靠性和稳定性高,同时有自恢复特性。1.用于直流和脉冲电路,用于各种电子电器工业设备的滤波,隔直,旁路耦合,降噪等等。
MEB CL233me
tallized
Polyeste Film
金属化聚脂薄膜
0.01~10μF63~630VDC-55℃~105℃P:10~27
.5mm
1.无感式结构及良好的自恢复特性;
2.绝缘电阻高,容量特性好。
旁路,隔直,耦合,退耦,脉冲,逻辑,定时,震荡电路 低电压场合抗干扰
阻容降压是利用电容的容抗来限制电流,从而达到降压的目的,电流计算公式=2*3.14*f*C*U,一般这种设计只适合于小功率和小电流的负载(建议<100mA), 不适合于动态负载,且阻容降压属于非隔离式电源,易产生触电.//knscha.cn. 降压电路设计注意事项//knscha.cn. 因普通滤波电容如有容量衰减,电子设备还可以工作,但阻容降压电容如有容量下降,将会出现供应电流下降,导致设备出现故障,故对阻容降压电容的寿命要求很高,特别是连续性使用的机种,现在很多使用这种电容降压设计的厂家出现批量性故障,所以选择电容方面一定要慎重. 产品适用范围
DS系列:主要用于电表.温控器.小功率负载降压驱动及其它温湿度要求高的阻容降压用途. 应用优势: 设计简单,成本低. 体积小,装配方便. 一般应用在小家电面板控制/小功率LED/酒店门控/电表等领域 如何提高阻容降压电容的寿命和提高产品可靠性 ●.增加真空浸渍工艺,排除电容内部空气,并与外部空气予以隔绝,阻断发生电化学腐蚀的条件,延长产品寿命 ●选择目前国际上最优薄膜制造商--德 国创斯普(TREOFAN)之PHD型BOPP薄膜;其优势如下: 1:拥有排列整齐和致密的电晕处理面,以增加其表面粗糙度,提高金属层的附着力; ●. 改变镀层结构,提高产品过电流能力,延长产品使用寿命. 1、 我司从德国APPLIED FILM公司引进MUTIMET650型高真空镀膜设备在镀层厚度上采取在线检测电流值自动调整方阻值以保证镀层厚度的一致性。 2、 金属化膜行标方阻值±30%,东莞市科尼盛电子有限公司自检可达±15%。 东莞市科尼盛电子有限公司生产的阻容降压CBB薄膜电容和X2安规电容系列产品大大改善了容量衰退的问题,延长产品的使用寿命,可保证5年以上的使用寿命.
阻容降压X2安规电容器的用途及产品说明
阻容降压使用方案:使用电容降压,替代变压器降低成本;
弱点: 在降压电路中持续对电容充放电,会产生容量下降,降低产品使用寿命.
本公司研制的红壳JURCC产品专为阻容降压电路开发设计,其特点为:体积小适合高密度元
件的电路板;高频损耗小,可承受交流尖峰浪涌冲击,过电流能力强;容量衰减小,使用寿命长;采用PBT材料外壳封装外观一致性好;防火等级B级;耐温110℃,等特点!下图中RC表示专业用于阻容降压.
具体参数:
电容量误差范围:K(±10%)
额定工作电压(AC):275VAC305VAC 310VAC
电容量范围 (UF ) :0.1μF to 2.2μF
使用温度范围(℃) :-40℃to +110℃
耐电压测试(DC) :在电容器两极施加700VDC;1分钟;漏电流小于1MA,无击穿和飞弧!测试仪表漏电流设置在最大档位(用来消除充电电流被仪表当作漏电流而产生误判,实际漏电流≈0MA
损耗角正切测试(DF) :DF≤0.1%(在20℃±2℃,1KHZ,1.0V测试)
可以在常温下进行,有争议时必须以20℃±2℃
绝缘阻抗测试IR(MΩ):IR≥3000 MΩ(容量小于等于0.33UF)
IR≥1000S(容量大于0.33UF)
测试之前电容器充分放电
测试电压100±5VDC 1分钟后读数
电极拉力测试:拉力方向平行于引线,单个引线脚承受0.5KG拉力10±1秒,电容器无损坏。